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藍寶石在微電子領域的襯底基片

 

半導體GaN的外延襯底基片

 
矽和砷化鎵分別為傳統半導體材料第一代、第二代的代表,它們的發展推動了微電子技術、光電子技術的發展,以此為基礎的信息技術帶來了人民生活翻天覆地的變化。但由於材料本身性能的限制,第一代、第二代半導體材料只能工作在200℃以下的環境中,而且抗輻射、耐高壓擊穿性能等都不能滿足現代電子技術發展對高溫、大功率、高頻、高壓以及抗輻射、能發射藍光的新要求。在這種情況下,新型電子器件材料的選擇推出了第三代半導體,寬帶隙的GaN與SiC成為第三代半導體材料的代表。在第三代半導體中,GaN材料越來越受到人們的關注。 GaN具有很多優點:禁帶寬,電子飽和速度高、導熱性能好,擊穿電場高,介電常數小,熱穩定性好,化學穩定性強。因此,第三代半導體的材料特性也終將導致它們會在航空航天、探測、核能開發、衛星、通信、汽車發動機、顯示器、新型光源、激光打印、存儲器等領域有廣闊的應用前景。早在20世紀70年代人們就開始探索GaN的生長工藝,但是由於材料生長技術的限製而無法得到高質量的GaN晶體。隨著生長技術的發展,先後出現了分子束外延(MBE)和化學氣相沉積(CVD)等新的方法,這極大地促進了對GaN的研究。藍寶石晶體作為襯底材料,其與GaN晶體具有相同的結構,具有高溫下化學穩定、散熱性能好,容易獲得大尺寸以及價格相對便宜等優點,儘管與GaN之間存在較大的晶格失配。隨著生長技術的不斷改進​​,目前已經能在藍寶石上外延出高質量的GaN晶體,(0001)面的藍寶石晶片已成為實際應用的最為理想的襯底材料。

SOS微電子電路

 
微電子電路,是指在藍寶石晶片的(1-102)晶面上用異質外延方法生長一層矽單晶膜,然後再在矽單晶膜上製作半導體器件的技術。因SOS微電子電路具有高速度、低功耗和抗輻照等優點,所以在手錶型移動電話,台式電腦或筆記本電腦,高速、高頻無線電通訊,小衛星、宇宙飛船和航天飛機的發展中都具有特別重要的應用。藍寶石與硅單晶具有相近的熱膨脹係數。在(1-102)面的藍寶石晶片上,用異質外延方法可以生長出一層 (100)面的矽單晶膜,然後再在矽單晶膜上製作半導體器件。晶體結構完整的藍寶石襯底基片,是保證獲得結構完整的矽單晶膜的主要條件。

ZnO、InN及其它外延膜襯底基片

ZnO的室溫禁帶寬度3.37eV,對應紫外光波段,為直接帶隙纖鋅礦結構Ⅱ-Ⅵ族半導體晶體與同類半導體GaN、ZnS相比,ZnO具有更高的激子束縛能,其值達60meV ,可以大大降低低溫下激射閥值。因而ZnO有望在室溫或更高溫度下實現激子增益,從而在低閾值短波長激光器方面獲得應用。自從在高質量ZnO薄膜中實現光抽運室溫紫外激射之後, ZnO單晶薄膜的生長、p型摻雜等研究課題在世界範圍內引起了許多研究組的關注。 藍寶石由其低成本和高的結晶完整性已被廣泛地用作ZnO外延層的襯底。 在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中,InN正受到人們越來越多的關注。與GaN、AlN相比,InN 具有最小的有效質量,在理論上具有最高的載流子遷移率,所以它在高速微 電子器件方面有著廣闊的應用前景。同時在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中,它還具有最小的 直接帶隙,其值在0.8eV左右,這樣就使得Ⅲ-Ⅴ族氮化物的發光波長可以從AlN的紫外區(6.2eV)延伸到InN的紅外區(0.8eV),成為製備發光器件的合適材料。但InN的體單晶製備非常困難,到目前為止人們對InN的研究還處於起始階段,在國外,Masuoka等人用MOVPE方法在藍寶石襯底上首先成功地得到了單晶的InN外延膜。在國內,肖紅領等人利用射頻等離子體輔助分子束外延(RF-MBE)方法在藍寶石襯底上獲得了晶體質量較好的單晶 InN外延膜。高溫超導薄膜例如 YBa2Cu3O7 - δ (YBCO)的微波表面電阻Rs比常規金屬材料小幾個數量級,可用於設計高性能的無源微波器件,例如濾波器、諧振器、延遲線等。藍寶石晶體的介電常數小、介質損耗低,微波性能優異,機械強度大,而且熱導率高,是LaAlO3基片的 20倍以上。大面積的藍寶石單晶材料已經工業化生產且價相對便宜,因此是很好的基片材料。作為鐵電襯底材料:可用作鐵電存儲器,空間光調製器,光開關等,鐵電薄膜的隨機存儲器、紅外探測器、驅動器、光電調製器、顯示器等,具有引人注目的優異性能和使用價值。

藍寶石晶體作為襯底材料、在國際市場上的需求量愈來愈大,同時對晶體的質量及尺寸的要求也愈來愈高。

 

 

 

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