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Wolfram und Saphir
Wolframtiegel für Ofen Saphir Wachstum Wolframtiegel Abdeckung für das Kristallwachstum Ofen Wolfram Armband für Saphir Ofen Wolfram Hitzeschild für Kristallofen Wolfram-Elektroden-Bildschirm für Saphir Kristall Ofen Wolfram Heizung für Saphir Kristall Ofen Wolframdraht Heizung für Saphir Kristall Ofen Wolfram Rhenium Draht für Saphir Kristall Wachstumsofen |
Sie sehen: Zuhause >>Saphir-Wachstumsverfahren - Kyropoulos Verfahren
Kyropoulos Methode kann als KY Verfahren verkürzt werden. Diese Methode ist die erste vorzuschlagen Kristalle in 1926.later auf zu wachsen, ist es in der Produktion und Forschung von großformatigen Kristall Halogen, Hydroxid und Carbonat-Kristalle verwendet. In 1960er und 1970er Jahren, wird es von der ehemaligen Sowjetunion Musatov zur Herstellung von Saphir-Kristallen verbessert. 1) Im Verlauf der gesamten Länge des Kristalls wird der Kristall nicht Tiegel hergestellt, ist es immer noch in der heißen Zone. Dies ermöglicht eine präzise Steuerung der Kühlrate , thermische Belastung reduzieren; 2) Das Kristallwachstum , die Fest-Flüssig-Grenzfläche in der Schmelze Belagerung. Eine solche Schmelztemperatur der Oberflächenstörung und mechanischen Störungen vor der Fest-Flüssig-Grenzfläche erreicht, kann verringert werden, so dass die Beseitigung der Schmelze; 3) Auswahl von weichem Wasser als das Arbeitsfluid innerhalb des Wärmetauschers in Bezug auf die Verwendung von Helium als Austauschverfahren Kühlmittelwärme kann die Kosten für die Experimente effektiv reduzieren; 4) Das Vorhandensein von Kristallen des Kristallwachstumsprozesses Verschieben und Drehen, empfindlich gegen mechanische Erschütterungen.
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