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Wolfram und Saphir
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Sie sehen: Zuhause >>Saphir Wachstum Method-Kanten defined Film-fed Wachstum (EFG)
Die Flüssigkeit wird dünner Film genügend Rohmaterial zur Verfügung stellen und weil der Film durch die Form beschränkt ist, sondern füttern den Rohstoff für die Dünnschicht wächst, daher ist das Verfahren kanten defined Film-fed Wachstum genannt. Detaillierte Beschreibung der Methoden Kristallwachstum ein ermöglicht komplizierte Form Kristalle zu erhalten, aus der Schmelze gegeben. Die variable Gestaltung Technik ermöglicht das Wachstum von Kristallen mit einem diskreten verändernden Querschnitt -Konfiguration während der Kristallisation. So ist die EFG-Methode. Die Auswirkungen der Wärmeübertragung Umwelt in Kanten defined Film-fed Growth auf Schmelze / Festkörper -Grenz Form und seitliche Dotierstoffsegregation werden durch Finite-Elemente-Analyse von zweidimensionalen Modellen für Wärme- und Stoffübertragung untersucht . Die Wärmeübertragung Konfigurationen werden untersucht , die den einheitlichen Umgebung in früheren Modellen angenommen entsprechen und auf Low- und High-Speed-Wachstum Systeme. Die maximale Wachstumsrate für eine Silizium-Platte wird berechnet und der Gültigkeitsbereich von eindimensionalen Wärmeübertragungsmodelle etabliert. Die laterale Trennung, die von Krümmung der Erstarrungsgrenzfläche resultiert, wird für zwei gelöste Stoffe, Bor und Aluminium errechnet. Auf diese Weise wird die Wärmeübertragung direkt auf die Gleichförmigkeit des Produkts Kristall verbunden.
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