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Tungsteno Propiedad en horno Crecimiento Sapphire
Molibdeno Propiedades en horno Crecimiento Sapphire Tungsteno y Zafiro
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Estás viendo: Casa >>Sapphire crecer metodo- Micro-Tirando La expansión y el hombro en el Centro refrigerado (SAPMAC)
Micro-tirando de la expansión y el hombro en el centro de enfriado es un método de crecimiento de zafiro, que también se llama rotación de micro-tirando Kyropoulos. El es un método mejorado basado en Kyropoulos Método y tirando método por el Instituto de Estructuras Compuestas del Instituto de Tecnología de Harbin. Se utiliza para crecer de cristal de gran tamaño. sistema de cultivo de cristal incluye sistema de control, sistema de vacío, el cuerpo de calefacción, sistema de refrigeración y sistemas de protección térmica. La raíz de una imagen, que es un corazón frío hombro esquemática para poner el método de Czochralski rastreo del sistema, SAPMAC cultiva un solo cristal, el pronóstico es generalmente en forma de pera, crisol de cristal de diámetro puede llegar a medir más que el diámetro interior del pequeño tamaño de 10 ~ 30 mm. La semilla se procesa en forma dividida, utilizar clips de semillas en la parte inferior del intercambiador de calor. Rotación y tirando del intercambiador de calor se puede lograr semilla fija, cristales, y la interacción de intercambio entre el intercambiador de calor, cristal y masa fundida. 1) Poner través de un hombro frío corazón, para asegurar que el gran tamaño del proceso de crecimiento de los cristales del cristal a todo el producto final de características genéticas de una buena, buena calidad del material. 2) A través del control de energía de alta precisión con micro-tracción, de modo que ninguna perturbación térmica significativa en todo el proceso de crecimiento de los cristales, reduce significativamente la probabilidad de iniciación defecto que otros métodos. 3) Debido a que sólo rastrear tracción, la reducción de la perturbación de campo de la temperatura. Hacer campo de temperatura más uniforme, a fin de garantizar la tasa de éxito de crecimiento de cristal único. 4) A lo largo del proceso de crecimiento de los cristales, el cristal no se hace crisol, se sigue en la zona caliente. Se puede controlar con precisión la velocidad de enfriamiento, para reducir la tensión térmica. 5) adecuados para el crecimiento de cristales de gran tamaño, el material es más de 1,2 veces la utilización ley integral Kyropoulos. 6) El uso del agua como fluido de trabajo dentro del intercambiador de calor, el cristal se puede lograr de recocido in-situ, breve ciclo de prueba que otros métodos, y bajo costo. 7) En el proceso de crecimiento de los cristales, podemos observar fácilmente el crecimiento de cristales. 8) el crecimiento de cristales de superficie libre, el crisol no es obligatorio, puede reducir los cristales de estrés. 9) Se puede utilizar fácilmente la semilla orientación deseada y el proceso de "besar", que ayuda a ritmo relativamente rápido.
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