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Método Kyropoulos pueden provocar un cortocircuito como método KY. Este método es el primero en proponer a crecer cristales en 1926.later en, que es ampliamente utilizado en la producción y la investigación de gran tamaño de cristal de halógeno, hidróxido y cristales de carbonato. En los años 1960 y 1970, se mejoró por el ex Unión Soviética Musatov para la producción de cristales de zafiro.
        
El único cristal crecido por el método Kyropoulos siempre tiene la forma de una pera. Su crisol de cristal diámetro puede crecer a menos que el diámetro interior del pequeño tamaño de 10 ~ 30 mm. El principio es similar al método de Czochralski. En primer lugar, el calentamiento de la materia prima hasta el punto de fusión de fusión en el metal fundido, a continuación, un único cristal de la semilla (Seed Crystal, también conocido como barra de semilla) para contactar la superficie del metal fundido, comenzó a crecer en el cristal de siembra y la interfaz sólido-líquido y el metal fundido de cristal único de la misma semilla estructura cristalina, la semilla a una velocidad muy lenta levantado. Después de entonces, el cristal semilla se tire hacia arriba a una altura y forman un cuello de cristal, las velocidades de solidificación del metal fundido y de semilla de interfaz estable, la semilla no tirando hacia arriba, pero ni hacer la rotación. Pero sólo el control de la velocidad de enfriamiento del cristal único se solidifica gradualmente desde la parte superior hacia abajo, y finalmente se solidificó en toda una monocristalino. Kyropoulos es el uso de crecimiento de los cristales de control de temperatura, es la mayor diferencia Chaishi método tirando de cristal solamente se tira del cuello de cristal, parte del cuerpo de cristal se basa en el crecimiento de cambio de temperatura, menos interferencia se detuvo y se hace girar, el mejor control del proceso y tirando cuello, mientras que el ajuste de la potencia del calentador, el material fundido para lograr el rango más adecuado temperatura de crecimiento del cristal, de modo que la tasa de crecimiento para lograr la mejor tecnología, la mejor calidad y por lo tanto crecer un único cristal de zafiro. Las principales características de este método:

1) En el curso de toda la longitud del cristal, el cristal no se hace crisol, se sigue en la zona caliente. Esto permite el control preciso de su velocidad de enfriamiento, lo que reduce el estrés térmico;
2) El crecimiento de cristales, la interfaz sólido-líquido en el cerco fusión. Tal una temperatura de fusión de la perturbación de la superficie y perturbaciones mecánicas antes de llegar a la interfaz sólido-líquido se puede reducir de manera que la eliminación de la masa fundida;
3) Selección de agua blanda como fluido de trabajo dentro del intercambiador de calor, con respecto al uso de helio como el método de intercambio de calor de refrigerante puede reducir efectivamente el coste de experimentos;
4) La presencia de cristales del proceso de crecimiento de los cristales en movimiento y rotación, susceptible a los choques mecánicos.

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