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Propriedade de tungstênio para Sapphire Crescimento Forno
propriedade molibdênio para Sapphire Forno Crescimento
Tungstênio e Sapphire
Cadinho de tungstênio para Forno Crescimento Sapphire Tampa de tungstênio Cadinho para Forno Crescimento de Cristais Suporte de tungstênio para Forno Sapphire Escudo de tungstênio de calor para forno de cristal Tela de tungstênio Eletrodo para Sapphire forno de cristal Aquecedor de tungstênio para Forno Crescimento Sapphire Aquecedor Tungsten Wire para Sapphire forno de cristal Fio de tungstênio rênio para Sapphire Forno Crescimento de Cristais |
Você está a ver: Casa >>Sapphire Crescimento dologia Vertical Gradient Method Congelar (VGF)
As características do método de VGF são como se segue: 1) A forma dos cristais pode variar consoante a forma de um cadinho para o crescimento de cristais perfiladas; 2) Plantar a orientação do crescimento de cristal semente de nucleação podem também ser natural, com base nos princípios da geometria fora do crescimento de cristais; 3) Este método pode ser fechado ou semi-fechado cadinho a crescer. Evitar a evaporação derreter dopante, resultando no desvio composicional e a concentração de dopante, e pode estar na poluição do meio ambiente circundante e as substâncias perigosas; 4) É apropriado para o tamanho grande, grande número crescente de cristais. Um forno pode crescer algumas dezenas de raiz ou diferente, diferentes tamanhos de cristais. 5) processo de operação é relativamente simples, fácil de implementar procedimentos e automação. VGF principais inconvenientes como se segue: a) Todo o processo de crescimento do cristal é realizada no interior do cadinho, o que não é fácil de observar o crescimento por causa do material de tungsténio invisível. Se o cadinho não é feito de tungsténio, MO, ou outros metais, vidro, mas, então seria diferente. b) Cristais diferentes requerem especificar as propriedades físicas e químicas do cadinho. Especialmente na correspondência entre o cadinho e o coeficiente de expansão térmica do material cristalino para a direita, enquanto inadequados para o crescimento do cristal de expansão do volume do material cristalino. c) tungstênio cadinho salientará e criar parasitária de cristal de cristal nucleação durante o crescimento de safira. Por conseguinte, o requisito de acabamento de superfície interior para o cadinho é muito alta. d) Ao usar o método Vertical Gradient Congelar a crescer cristal de safira, o pôr-do cadinho não está girando, de modo que a qualidade de cristal não é melhor do que o que cresce fora de crescer para fora pelo método Czochralski. Se houver qualquer outra questão referem-se a cadinho de tungstênio para a fornalha do crescimento de safira, não hesite em contactar-nos através dos seguintes métodos: O Email:sales@chinatungsten.com Tal.:+86 592 512 9696 Fax:+86 592 512 9797 |
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