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O método de Czochralski é um método de crescimento de cristais utilizado para se obterem cristais individuais de semicondutores (por exemplo, silício, germânio e arseneto de gálio), metais (por exemplo, paládio, platina, prata, ouro), sais e gemas sintéticas. O processo é nomeado após cientista polonês Jan Czochralski que inventou o método em 1916 enquanto investigava as taxas de cristalização de metais.

A aplicação mais importante pode ser o crescimento de grandes lingotes cilíndricos, ou bocha, de silício monocristalino usado na indústria eletrônica para fazer dispositivos semicondutores, como circuitos integrados. Outros semicondutores, tais como o arsenieto de gálio, também podem ser cultivadas por este método, embora menores densidades de defeitos, neste caso, pode ser obtido utilizando variantes da técnica Bridgman-Stockbarger.

Devido às eficiências de especificações wafer comuns, a indústria de semicondutores tem usado bolachas com dimensões padronizadas. Nos primeiros dias, os lingotes eram menores, apenas algumas polegadas de largura. Com tecnologia avançada, os fabricantes de dispositivos high-end usar 200 mm e 300 mm de diâmetro wafers. A largura é controlada por um controlo preciso da temperatura, as velocidades de rotação e a velocidade do titular da semente é removido. Os lingotes de cristais a partir da qual essas bolachas são cortadas pode ser de até 2 m de comprimento, pesando várias centenas de quilogramas. bolachas maiores permitem melhorias na eficiência de produção, à medida que mais chips podem ser fabricados em cada bolacha, de modo que tem havido uma unidade estável para aumentar os tamanhos da bolacha de silício. O próximo passo, 450 mm, está programado para lançamento em 2018] wafers de silício são tipicamente cerca de 0,2-0,75 mm de espessura, e pode ser polido para grande planura para fazer circuitos integrados ou texturizado para fazer células solares.

O processo inicia-se quando a câmara é aquecida a cerca de 1500 graus Celsius, com fusão do silício. Quando o silício for completamente fundido, um pequeno cristal de semente, montado na extremidade de um eixo de rotação é reduzido lentamente até que ele cai abaixo apenas a superfície do silício fundido. O eixo gira anti-horário e o cadinho gira no sentido horário. A haste rotativa é, em seguida, conduzido para cima, muito lentamente, o que permite uma Boule aproximadamente cilíndrico a ser formado. O Boule pode ter de um a dois metros, em função da quantidade de silício no cadinho.

As características eléctricas do silício são controlados pela adição de material como de fósforo ou de boro para o silício antes de ser derretido. O material adicionado é chamado dopante e o processo é chamado de dopagem. Este método é também utilizado com outros materiais do que o silício de semicondutores, tais como o arsenieto de gálio.

O crescimento de safira é o mesmo que o silício, mas quando safira é cultivado pelo método de Czochralski, a massa fundida é contido num cadinho de tungsténio ou de molibdénio.

Se houver qualquer outra questão referem-se a cadinho de tungstênio para a fornalha do crescimento de safira, não hesite em contactar-nos através dos seguintes métodos:
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