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사파이어 성장 방법 - 수직 그라데이션 고정 방법 (VGF)

이어서 온도 용탕 내의 구배, 그리고 결정을 성장하기 시작되도록 수직 기울기 동결 방법은 주로 도가니를 이동시키는 방식으로, 존 용해의 수준과 유사하다. 히터에 의해 사용되는이 방법은 히터에 의해 발생되는 온도차 이하 저온 따라서 결정 성장 온도 구배를 야기 노 본체 히터 온도의 상단이 높은 두 부분으로 분할된다. 성장 과정이므로, 상기 히터의 온도가 일정하고는, 브리지 맨을 고액 계면을 통해 용탕을해야하는 경우가 고정되고, 결정 성장의 고체 - 액체 계면에서 히터, VGF 방법의 사용은, 그 용탕 정규형에게 단결정의 고화. 성장 원리는 포토 보여주는 같다.

수직 그라데이션 고정 방법

VGF 법의 특징은 다음과 같다 :
1) 결정의 형상은 프로파일 결정 성장하는 도가니의 형상에 따라 변할 수있다;
2)시드 결정 성장 방향 심기 또한 결정 성장 중 기하학의 원리에 기초하여 자연 핵이 될 수있다;
3) 이 방법은 폐쇄 될 수 또는 반 폐쇄 도가니 성장. 조성 편차 도핑 농도 결과 도펀트를 용융 증발을 방지하고 주변 환경 오염과 유해 물질이 될 수있다;
4) 이 결정의 다수 성장 큰 크기에 적합하다. 퍼니스는 몇이나 다른 루트, 결정의 크기가 다른 수십 증가 할 수 있습니다.
5) 연산 처리 절차는 자동화를 쉽게 구현할 비교적 간단하다. VGF 주요 단점은 다음과 같습니다 :

a) 결정 성장의 전 과정 때문에 텅스텐 보이지 않는 재료의 성장을 관찰하는 것이 용이하지 않다 도가니 내부에서 수행된다. 도가니 텅스텐, MO, 또는 다른 금속, 그러나 유리하지 않은 경우, 서로 다른 것이다.
b) 다른 결정 도가니의 물리적, 화학적 특성을 지정해야합니다. 특히, 도가니 오른쪽 결정질 재료의 열팽창 계수와 일치하는 결정질 재료 체적 팽창의 결정 성장에 적합있다.
c) 텅스텐 도가니는 스트레스와 사파이어 성장하는 동안 기생 결정 핵 생성 결정을 생성합니다. 따라서, 도가니의 내부 표면 조도의 요구는 매우 높다.
d) 사파이어 성장에 수직 그라데이션 고정 방법을 사용하면, 아래 도가니가는 결정의 품질이 하나에 의해 초크 랄 스키 성장 방법에 의해 성장보다 낫지되도록 회전하지 않는다.

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