Tungstène et le molybdène de la propriété »

Tungstène pour le saphir four de croissance  »

Saphir est principalement composé d'alumine (Al2O3), est construit en trois atomes d'oxygène et deux atomes d'aluminium dans la liaison covalente de type combinaison. La structure cristalline du saphir est six structure en treillis carré. Il est généralement utilisé dans la section de A- Plane, C-Plane et R-Plane.

En raison de la large zone optique de pénétration, du proche ultraviolet au moyen infrarouge (190nm), le tout avec une bonne transparence, de sorte que le saphir est largement utilisé dans les composants optiques, de haute intensité dispositif infrarouge, matériau de la lentille laser et des matériaux de masque. Sapphire possède de bonnes performances de haute vitesse, résistance à haute température, résistance à la corrosion, la dureté élevée, transmission lumineuse élevée et un point de fusion élevé (2045 C), etc. Pendant ce temps, il a été un matériau d'usinage difficile, mais peut être utilisé comme élément photoélectrique.



À l'heure actuelle, la qualité de haute luminosité LED blanche / bleu dépend de la qualité de nitrure de gallium épitaxiale (GaN) matériau, tandis que la qualité épitaxiale Gan est étroitement liée à la qualité substrat de saphir de traitement de surface d'utilisation, le saphir (cristal Al2O3) entre le C constantes de film mince III-V et II-VI dépôt mismatch le taux de petite surface et treillis, se réunit également procédé d'épitaxie de GaN dans les exigences de résistance à haute température, rend la plaquette de saphir devient le matériau clé pour la fabrication de blanc bleu / LED / vert.

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